Рабочие листы
к вашим урокам
Скачать
1 слайд
2 слайд
р – элементы IV группы
Ge Sn Pb
3 слайд
Немного истории
1869 г – опубликована Периодическая система
1871 г – Менделеев предсказал существование
3 - х неизвестных элементов ,
назвал их
эка – бор эка - алюминий
эка - силиций
и описал их свойства
4 слайд
Немного истории
1875 г – открыт Ga ( Лекок де Буабодран, Франция )
1879 г - открыт Sc ( Нильсон , Швеция )
1886 г – открыт Ge ( Винклер , Германия )
Менделеев назвал эти элементы
укрепителями
периодической системы ! ! !
5 слайд
Характерные степени окисления
Ge Sn Pb
+2 +4 +2 +4 +2 +4
Устойчивость соединений
с высшими степенями окисления уменьшается в ряду :
Ge(IV) > Sn(IV) > Pb(IV)
6 слайд
Активность металлов Ge Sn Pb
Е0 , v
Ge2+ + 2e = Ge0 0.0
Sn2+ + 2e = Sn0 - 0.136
Pb2+ + 2e = Pb0 - 0.127
7 слайд
Активность металлов Ge Sn Pb
Sn + 2HCI = SnCI2 + H2
( медленно, при нагревании )
Pb + 2HCI = PbCI2 + H2
(м. р. PbCI2 тормозит реакцию)
2е
1е
2е
1е
8 слайд
Растворение осадков
PbCI2 + 2HCI конц. = H2 [ PbCI4 ]
раствор
PbSO4 + H2SO4 конц. = Pb2+ + 2HSO41- -
раствор
9 слайд
Взаимодействие Ge Sn Pb с HNO3
Ge + 4HNO3 конц. = H2GeO3 + 4NO2 +
+H2O
Sn + 4HNO3 конц. = H2SnO3 + 4NO2 +
β – оловянная к - та
+ H2O
4е
1е
4е
1е
10 слайд
Взаимодействие Ge Sn Pb с HNO3
Pb + 4HNO3 конц. = Pb(NO3)2 + 2NO2 +
+ 2H2O
3Sn + 8HNO3 разбавл. на холоду =
= 3Sn(NO3)2 + 2NO +4H2O
2е
1е
2е
3е
11 слайд
Взаимодействие Ge Sn Pb со щелочами
Sn ( Pb ) + 2H2O + 2NaOH =
= Na2 [ Sn(OH)4 ] + H2
Na2 [ Pb(OH)4 ]
Растворение Ge в щелочной среде происходит только при участии более сильных окислителей, чем ионы Н+ :
Ge + 2NaOH + 2H2O2 = Na2 [ Ge(OH)6 ]
2е
1е
4е
2е
12 слайд
Взаимодействие Ge, Sn, Pb со щелочами
Для вскрытия Ge в кислой среде используют смеси окислителей с комплексующими лигандами :
Ge + 4HCI + 4HNO3 конц.= GeCI4 + 4NO2 +
+ 4H2O
3Ge + 4HNO3 + 18HF = H2 [ GeF6 ] + 4NO +
+ 8H2O
4е
1е
4е
3е
13 слайд
Оксиды Ge(IV) Sn(IV) Pb(IV)
GeO2 SnO2 PbO2 Pb2O3 Pb3O4
ά , β – формы смешанные оксиды
GeO2 SnO2 при высоких т-рах переходят в стеклообразное состояние
PbO2 нагревание = PbO + 0.5O2
термически неустойчив
14 слайд
Гидроксиды Ge(IV) Sn(IV) Pb(IV)
Малорастворимые кислоты М(ОН)4
лучше представлять в форме гидратированных
оксидов : ( МО2 )n ( H2O )m.
Кислотные свойства уменьшаются,
а основные увеличиваются в ряду :
GeO2 > SnO2 > PbO2
Известны :
орто - K2GeO4 , мета - K2GeO3 германаты
и станнаты
15 слайд
Амфотерные свойства Ge(IV) Sn(IV)
GeO2 + 2NaOH + 4H2O = Na2 [ Ge(OH)6 ]
кислотные
GeO2 + 4HCI конц. = GeCI4 + 2H2O
основные
άSnO2 + 2NaOH + 4H2O = Na2 [ Sn(OH)6 ]
кислотные
άSnO2 + 6HCI конц. = H2 [ SnCI6 ] + 2H2O
основные
16 слайд
Свойства оксида Pb( IV )
PbO2 инертый, малорастворимый
Получение PbO2
PbCI2 + CI2 + 4NaOH = PbO2 + 2 H2O + 4NaCI
2е
2е
17 слайд
Устойчивость соединений
Ge(IV) Sn(IV) Pb(IV)
Общая тенденция
для р – элементов :
cверху вниз по группе
устойчивость Э(IV) уменьшается
18 слайд
Устойчивость соединений
Ge(IV) Sn(IV) Pb(IV)
Оксиды Pb(IV) являются сильными окислителями :
PbO2 + 4H+ + 2e = Pb2+ + 2H2O E0 = 1.46 v
5PbO2 + 2Mn2+ + 4H+ = 2MnO41- + 5Pb2+ + 2H2O
Pb3O4 + 8H+ + 2e = 3Pb2+ + 4H2O E0 = 2.15 v
19 слайд
Устойчивость соединений
Ge(IV) Sn(IV) Pb(IV)
Ge(IV) Sn(IV) не проявляют
заметных окислительных свойств :
GeO2 + 4H+ + 4e = Ge0 + 2H2O
E0 = - 0.15 v
20 слайд
Восстановительные свойства
Ge(II) Sn(II) Pb(II)
Восстановительные свойства уменьшаются в ряду :
Ge2+ > Sn2+ > Pb2+
В кислой среде :
Sn4+ + 2e = Sn2+ E0 = 0.15 v
21 слайд
Восстановительные свойства
Ge(II) Sn(II) Pb(II)
В щелочной среде :
[ Sn(OH)6 ]2- + 2e = [ Sn(OH)4 ]2- + 2OH1-
E0 = - 0.96 v
3K2 [ Sn(OH)4 ] + 2Bi(OH)3 = 2Bi + 3K2 [ Sn(OH)6 ]
черный осадок
22 слайд
Свойства оксидов и гидроксидов
Ge(II) Sn(II) Pb(II)
Оксиды GeO SnO PbO и их гидроксиды обладают
амфотерными свойствами
Основные свойства изменяются в ряду :
Ge(OH)2 < Sn(OH)2 < Pb(OH)2
23 слайд
Гидриды Ge Sn Pb
Бинарные соединения :
Mg2Ge – германид Mg2Sn –станнид
Mg2Pb - плюмбид магния
Mg2Ge + 4HCI = 2MgCI2 + GeH4 - герман
SnH4 – станнан
PbH4 – плюмбан
24 слайд
Гидриды Ge Sn Pb
SnCI2 + 3Zn + 4HCI = 3ZnCI2 + SnH4
NaBH4 + GeO2 + HCI + H2O = H3BO3 +
+ NaCI + GeH4
Устойчивость уменьшается в ряду:
GeH4 > SnH4 > PbH4
25 слайд
Способность к образованию связей Э - Э
Связь Есвязи , кДж/м
C -- C 356
Si -- Si 210 - 250
Ge - Ge 190 - 210
Sn - Sn 105 - 145
Способность элементов образовывать
связи Э - Э уменьшается в ряду :
C >>> Si >> Ge > Sn >> Pb
26 слайд
Получение Ge Sn Pb
Исходные вещества – минералы :
касситерит - SnO2
сульфиды – GeS PbS
Обжиг сульфидов :
PbS + 1.5O2 = PbO + SO2
GeS + 2O2 = GeO2 + SO2
27 слайд
Получение Ge Sn Pb
Восстановление :
SnO2 + 2C = Sn0 + 2CO
PbO + C = Pb0 + CO
GeO2 + 2H2 = Ge0 + 2H2O
28 слайд
Галогениды Ge Sn Pb
Известны все галогениды
за исключением PbBr4 и PbJ4
PbCI4 устойчив только при низких температурах
В обычных условиях разлагается :
PbCI4 = PbCI2 + CI2
29 слайд
Галогениды Ge Sn Pb
Гидролиз тетрахлоридов :
CCI4 не гидролизуется
SiCI4 + 3H2O = H2SiO3 + 4HCI
( гидролизуется полностью )
SnCI4 + H2O гидролиз протекает частично
Гидролиз тетрафторидов :
2SiF4 + 2H2O = H2 [ SiO2F2 ] + H2 [ SiF6 ]
30 слайд
Сульфиды Ge Sn Pb
GeS GeS2 SnS SnS2 PbS
PbS2 не существует ! ! !
Причина - сильные окислительные свойства Pb ( IV )
Pb2+ - катион IV аналитической группы.
Sn(IV) – катион V группы
из-за способности SnS2 образовывать тиосоли
31 слайд
Сульфиды Ge Sn Pb
Растворимость сульфидов
катионов IV и V групп очень мала ,
они осаждаются даже в очень кислой среде ( при рН = 0.5 )
Растворение сульфидов :
SnS2 + 6HCI ( 6М ) = H2 [ SnCI6 ] + 2 H2S
раствор
32 слайд
Растворение сульфидов
SnS + 10HNO3 конц. = H2SnO3 + 10NO2 +
+ H2SO4 + 3H2O
3PbS + 8HNO3 разб. = 3Pb(NO3)2 + 3S +
+ 2NO + 4H2O
10е
1е
2е
3е
33 слайд
т и о с о л и
GeS SnS PbS
тиосолей не образуют ( ! ! ! )
из-за слабых кислотных свойств
GeS2 ( SnS2 ) + Na2S = Na2GeS3
( Na2SnS3 )
тиогерманат ( тиостаннат )
раствор
34 слайд
т и о с о л и
Sn2+S + Na2S2 = Na2Sn4+S3
раствор
Разрушение тиосолей :
Na2SnS3 + 2CH3COOH = SnS2 +
+ H2S + 2 NaAc
2е
2е
35 слайд
Получение Ge высокой чистоты
GeCI4 – жидкость ( т – ра кип. 830С )
Сначала GeCI4 очищают
путем дистилляции .
GeCI4 нерастворим в HCI конц.
При обработке GeCI4 кислотой
часть примесей уходит
в водный слой HCI
36 слайд
Получение Ge высокой чистоты
Выcоко чистый GeCI4 подвергают гидролизу :
GeCI4 ( ж ) + 2H2O = GeO2 тв +
+ 4HCI
Затем GeO2 восстанавливают
водородом :
GeO2 + 2H2 = Ge + 2H2O
37 слайд
Получение Ge высокой чистоты
Аморфный Ge сплавляют,
дополнительно очищают зонной плавкой
и выращивают монокристаллы
( полупроводниковые материалы )
Рабочие листы
к вашим урокам
Скачать
6 626 191 материал в базе
Настоящий материал опубликован пользователем Касперова Елена Викторовна. Инфоурок является информационным посредником и предоставляет пользователям возможность размещать на сайте методические материалы. Всю ответственность за опубликованные материалы, содержащиеся в них сведения, а также за соблюдение авторских прав несут пользователи, загрузившие материал на сайт
Если Вы считаете, что материал нарушает авторские права либо по каким-то другим причинам должен быть удален с сайта, Вы можете оставить жалобу на материал.
Удалить материалВаша скидка на курсы
40%Курс повышения квалификации
36 ч. — 180 ч.
Курс повышения квалификации
72 ч. — 180 ч.
Курс повышения квалификации
36 ч. — 180 ч.
Мини-курс
6 ч.
Мини-курс
8 ч.
Оставьте свой комментарий
Авторизуйтесь, чтобы задавать вопросы.